PTVA082407NF-V1-R5国宇航芯 cree代理 欢迎致电

Wolfspeed的cghv35120f是一种氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（Hemt），专门为高效率、高增益和宽带宽能力而设计，使cghv35120f非常适合3.1-3.5GHz雷达放大器应用。特征：额定功率=120 W@tcase=85° TCase=85°C时，排水效率=62%瞬态100μsec–300μsec@20%占空比内部预匹配输入，不匹配输出。晶体管采用陶瓷/金属法兰封装。

Wolfspeed 金屬氧化物半導體場效應晶體管使開關頻率更高，並且縮小了像電感器、電容器、篩選器、變壓器這樣的組件的尺寸。我們的碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管可取代硅器件，有更高的阻斷電壓（>1700V），雪崩額定值>1800V，開關和傳導損耗也較低。我們在五年前製造了首個碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管，並且自那時起一直都在不斷完善這項技術。

Wolfspeed的CGHV96050F1是一种在碳化硅（SiC）基板上的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。与其他技术相比，这种氮化镓内部匹配（IM）场效应晶体管具有**的功率附加效率。与硅或砷化镓相比，氮化镓具有更高的击穿电压、更高的饱和电子漂移速度和更高的热导率。与砷化镓晶体管相比，氮化镓HEMTs还提供更大的功率密度和更宽的带宽。该im-fet采用金属/陶瓷法兰封装，以获得较佳的电气和热性能。