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半导体激光器又称激光二极管，是用半导体材料作为工作物质的激光器。它具有体积小、寿命长的特点，并可采用简单的注入电流的方式来泵浦其工作电压和电流与集成电路兼容，因而可与之单片集成。由于这些优点，半导体二极管激光器在激光通信、光存储、光陀螺、激光打印、测距以及雷达等方面以及获得了广泛的应用。

激光器的发光原理产生激光要满足以下条件：
一、粒子数反转；

二、要有谐振腔，能起到光反馈作用，形成激光振荡；形成形式多样，较简单的是法布里——帕罗谐振腔。

三、产生激光还必须满足阈值条件，也就是增益要大于总的损耗。

（1）满足一定的阀值条件。

为了形成稳定振荡，激光媒质必须能提供足够大的增益，以弥补谐振腔引起的光损耗及从腔面的激光输出等引起的损耗，不断增加腔内的光场。这就必须要有足够强的电流注人，即有足够的粒子数反转，粒子数反转程度越高，得到的增益就越大，即要求必须满足一定的电流阀值条件。当激光器达到阀值时，具有特定波长的光就能在腔内谐振并被放大，最后形成激光而连续地输出。

（2）谐振腔，能起到光反馈作用，形成激光振荡。

要实际获得相干受激辐射，必须使受激辐射在光学谐振腔内得到多次反馈而形成激光振荡，激光器的谐振腔是由半导体晶体的自然解理面作为反射镜形成的，通常在不出光的那一端镀上高反多层介质膜，而出光面镀上减反膜。

对F-P腔（法布里—拍罗腔）半导体激光器可以很方便地利用晶体的与P-N结平面相垂直的自然解理面构成F-P 腔。

（3）增益条件：

建立起激射媒质（有源区）内载流子的反转分布。在半导体中代表电子能量的是由一系列接近于连续的能级所组成的能带，因此在半导体中要实现粒子数反转，必须在两个能带区域之间，处在高能态导带底的电子数比处在低能态价带**的空穴数大很多，这靠给同质结或异质结加正向偏压，向有源层内注人必要的载流子来实现，将电子从能量较低的价带激发到能量较高的导带中去。当处于粒子数反转状态的大量电子与空穴复合时，便产生受激发射作用。
什么是芯片
　　芯片，又称微电路（microcircuit）、微芯片（microchip）、集成电路（英语：integrated circuit， IC）。是指内含集成电路的硅片，体积很小，常常是计算机或其他电子设备的一部分。

　　芯片（chip）就是半导体元件产品的统称。是集成电路（IC， integrated circuit）的载体，由晶圆分割而成。

　　硅片是一块很小的硅，内含集成电路，它是计算机或者其他电子设备的一部分。什么是半导体
　　半导体（ semiconductor），指常温下导电性能介于导体（conductor）与绝缘体（insulator）之间的材料。半导体在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用。如二极管就是采用半导体制作的器件。半导体是指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料。无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。今日大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着较为密切的关连。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，而硅更是各种半导体材料中，在商业应用上较具有影响力的一种。

　　物质存在的形式多种多样，固体、液体、气体、等离子体等。我们通常把导电性差的材料，如煤、人工晶体、琥珀、陶瓷等称为绝缘体。而把导电性比较好的金属如金、银、铜、铁、锡、铝等称为导体。可以简单的把介于导体和绝缘体之间的材料称为半导体。
什么是集成电路
　　集成电路（integrated circuit）是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构；其中所有元件在结构上已组成一个整体，使电子元件向着微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面迈进了一大步。它在电路中用字母“IC”表示。集成电路**为杰克·基尔比（基于锗（Ge）的集成电路）和罗伯特·诺伊思（基于硅（Si）的集成电路）。当今半导体工业大多数应用的是基于硅的集成电路。

　　是20世纪50年代后期一60年代发展起来的一种新型半导体器件。它是经过氧化、光刻、扩散、外延、蒸铝等半导体制造工艺，把构成具有一定功能的电路所需的半导体、电阻、电容等元件及它们之间的连接导线全部集成在一小块硅片上，然后焊接封装在一个管壳内的电子器件。其封装外壳有圆壳式、扁平式或双列直插式等多种形式。集成电路技术包括芯片制造技术与设计技术，主要体现在加工设备，加工工艺，封装测试，批量生产及设计创新的能力上。
Broadcom 的 ACHS-712x 产品系列是完全集成的基于霍尔效应的隔离线性电流传感器器件系列，专为工业、商业和通信系统中的交流或直流电流检测而设计。ACHS-7121 额定 ±10 A，ACHS-7122 额定 ±20 A，ACHS-7123 额定 ±30 A，均由精确、低失调的线性霍尔电路组成，铜导电路径位于芯片表面附近。流过该铜导电路径的施加电流产生磁场，霍尔 IC 将之按比例转换成电压。通过将磁信号与差分霍尔传感器校准，可以优化设备精度。
Broadcom 的 AFBR-S4N44C013 是单 SiPM 器件，用于单光子的**灵敏、高精度测量。
有效面积为 3.72 mm x 3.72 mm。单芯片通过硅穿孔技术 (TSV) 技术实现了高封装密度。通过平铺多个 AFBR-S4N44C013 阵列来覆盖较大的区域，显着降低了任何边缘损失的可能性。钝化层采用低至 UV 波长的高透明度玻璃。这导致在可见光谱中响应广泛，对光谱中蓝色和近紫外区具有高灵敏度。
该 SiPM 非常适用于检测低水平脉冲光源，特别是 Cherenkov 光或来自较为常见的**塑料材料和无机闪烁材料的闪烁光，具体包括 LSO、LYSO、BGO、Nal、Csl、BaF 和 LaBr。
Broadcom 的 AFBR-2529SIZ 接收器由带有集成光电二极管的 IC 组成，可提供 TTL 逻辑系列兼容输出。在长达 50 m 距离内、采用长度 200 m 的 1 mm 聚合物光纤 (POE) 且 10 MBd 时以及在长达 120 m 的距离内、采用 200 μm 塑料薄层二氧化硅 (PCS) 且 50 MBd 时，该接收器均能处理从 DC 至 50 MBd 的任何类型的信号。该器件提供 4 个引脚，采用 Versatile Link 外壳。通用链路元器件可以可以互连（叠接在一起），较大限度地节省空间，并提供与全双工连接器的双通道连接。AFBR-2529SIZ 具有监控输出，可提供与平均光输入功率成比例的模拟电压。通用链路元件提供各种单工和双工连接器，以及 POF 电缆。对于采用 AFBR-2529SIZ 的光纤链路，Broadcom 的 AFBR-16xxZ 发射器使用 650 nm LED 光源，并配合推荐使用的集成光学器件和驱动器 IC。AFBR-2529SIZ 提供反相输出信号，这意味着灯亮会导致数据输出低电平，反之亦然。